Semiconductors hunn dräi Haaptcharakteristike:
1. Thermesch Empfindlechkeet Charakteristiken
D'Resistivitéit vun de Hallefleit ännert sech wesentlech mat der Temperatur. Zum Beispill, pure Germanium, fir all 10 Grad Erhéijung vun der Fiichtegkeet, fällt seng elektresch Resistivitéit op 1/2 vu sengem urspréngleche Wäert. Déi subtil Ännerungen an der Temperatur kënnen an de bedeitende Verännerungen an der Hallefleitresistivitéit reflektéiert ginn. Duerch d'Benotzung vun der thermescher Empfindlechkeet vun de Hallefleeder kënnen d'Temperatursensorelementer - Thermistoren - gemaach ginn fir an Temperaturmessungs- a Kontrollsystemer ze benotzen.
Et ass derwäert opgeschriwwen, datt verschidde semiconductor Apparater thermesch Empfindlechkeet hunn, déi hir Stabilitéit beaflosst wann d'Temperatur vun der Ëmgéigend ännert.
2. Photosensitive Charakteristiken
D'Resistivitéit vun Hallefleit ass héich empfindlech fir Verännerungen am Liicht. Wann beliicht ass, ass d'elektresch Resistivitéit ganz niddereg; Wann et kee Liicht ass, ass d'elektresch Resistivitéit héich. Zum Beispill huet den allgemeng benotzte Kadmiumsulfid Photoresistor eng Resistenz vun e puer Zéng Megaohms an der Fehlen vu Liicht, wann se u Liicht ausgesat sinn. D'Resistenz ass op eemol op Zéngdausende vun Ohm gefall, an de Resistenzwäert huet dausende Mol geännert. Andeems Dir d'fotosensibel Eegeschafte vun Hallefleitungen benotzt, gi verschidden Aarte vun optoelektroneschen Apparater produzéiert, sou wéi Photodioden, Fototransistoren a Siliziumfotozellen. Vill an der automatescher Kontroll a Radiotechnologie benotzt.
3. Doping Charakteristiken
A reng Hallefleit, Doping extrem kleng Quantitéiten vun Gëftstoffer Elementer kann eng bedeitend Ännerung vun hirer elektrescher Resistivity Ursaach. Zum Beispill. Doping a purem Silizium. D'Resistivitéit vum Borelement, dat manner wéi 214000 Ω· cm ass, wäert op 0,4 Ω· cm erofgoen, wat heescht datt d'Konduktivitéit vum Silizium ëm méi wéi 500000 Mol eropgeet. D'Leit kontrolléieren präzis d'Konduktivitéit vun de Hallefleitungen andeems se bestëmmte spezifesch Gëftstoffelementer dotéieren, a fabrizéieren verschidden Aarte vu Hallefleitgeräter. Et kann ouni iwwerdreiwen gesot ginn, datt bal all semiconductor Apparater sinn vun semiconductor Material gemaach mat spezifesche Gëftstoffer dotéiert.
