Wat ass semiconductor

All Material mat den uewe genannten zwee Charakteristiken kënnen an den Ëmfang vun Hallefleitmaterialien klasséiert ginn. Wat déi intrinsesch Basiseigenschaften vun Hallefleit reflektéiert, sinn déi physesch Effekter a Phänomener, déi duerch verschidden extern Faktoren wéi Liicht, Hëtzt, Magnetismus, Elektrizitéit, etc. Déi meescht vun de Basismaterialien vun zolidd-State elektroneschen Apparater sinn Hallefleit. Et sinn déi verschidde Hallefleiteigenschaften vun dësen Hallefleitmaterialien déi verschidden Aarte vu Hallefleitgeräter verschidde Funktiounen a Charakteristike ginn. D'Basis chemesch Charakteristik vun Hallefleeder ass d'Existenz vu gesättigte kovalente Bindungen tëscht Atomer. Als typesch kovalent Bindungsfunktioun ass et tetrahedral an der Gitterstruktur, sou datt typesch Hallefleitmaterialien Diamant- oder Zinkblend (ZnS) Struktur hunn. Well déi meescht vun de Mineralressourcen vun der Äerd Verbindunge sinn, sinn d'Hallefuedermaterialien, déi als éischt benotzt goufen, Verbindungen. Zum Beispill gouf Galena (PBS) fir Radiodetektioun laang viru laanger Zäit benotzt, Kuprosoxid (Cu2O) gouf als feste Gläichter benotzt, Sphalerit (ZnS) ass e bekannte festen Liichtmaterial, an d'Rectifizéierung an d'Detektiounsfunktioun vu Siliziumkarbid ( SIC) gouf och fréi benotzt. Selenium (SE) ass den éischten entdeckten a benotzte Element Halbleiter, deen eemol e wichtegt Material fir Feststoffgleichrichter a Fotozellen war. D'Entdeckung vun Element semiconductor germanium (GE) amplification opgemaach eng nei Säit an der Geschicht vun semiconductors, aus deenen elektronesch Apparater ugefaang Transistoriséierung ze realiséieren. D'Fuerschung an d'Produktioun vu Halbleiteren a China huet ugefaang mat der éischter Virbereedung vu Germanium mat héijer Rengheet (99.999999% - 99.999999%) am Joer 1957. D'Adoptioun vum elementar Halbleiter Silizium (SI) erhéicht net nëmmen d'Typen a Varietéit vun Transistoren a verbessert hir Leeschtung , awer och an der Ära vun grouss-Skala a ganz grouss-Skala integréiert Circuit. D'Entdeckung vu ⅲ - ⅴ Verbindungen representéiert duerch Galliumarsenid (GaAs) huet déi séier Entwécklung vu Mikrowellengeräter an optoelektroneschen Apparater gefördert.